该测试仪是符合国标GB4023-83《半导体器件整流二极管的测试方法》和GB-4024-83《半导体反向阻断

三极晶闸管的测试方法》，能测试各种晶闸管（KP、KK、KA、KS）及晶闸管模块的VDSM、VRSM、VDRM、

VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM与各种整流二极管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等参数。

IGBT、场效应管、整流桥、固态继电器、光耦等半导体器件都可测试。线路设计简洁精炼，采用单片机控制，

具有体积小、重量轻、操作简单、测试准确、保护和维修方便等特点，是晶闸管可控硅及整流管等半导体

器件生产单位、经销商及整机生产单位用来检测器件伏安特性（也叫阻断特性）参数的 为理想的专用检测设备。



主要技术指标：

1．峰值电压测量范围：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可选，也可定制其它范围

2．峰值漏电流测量范围：0—100mA、0—200mA可选，也可定制其它范围

3．峰值漏电流保护设定范围：0—99mA、0—198mA

4．机内专用液晶示波器可观看动态峰值电压与峰值漏电流的变化伏安特性曲线波形



仪器测试使用方法：

1．检查高压调节旋钮反时针调到零，打开电源开关，按极性接好被测管。

2．根据个人习惯，调节示波器的各项功能（光点位置、颜色、粗细等）至 合适状态。

3．将保护设定调在要求保护的漏电流值。拨码开关上面的一个数字代表1mA， 多可以设定到99mA，一般

测室温电压时，保护设定在5mA左右。

4．将正向／反向按钮置于正向（不按下时），缓慢顺时针调节高压调节旋钮，观察示波器，当波形出现拐点，

漏电流表上也显示有漏电流时，此时的电压即为正向不重复峰值电压。一般取不重复峰值电压的90%为重复峰值电压，将电压调至重复峰值电压，此电压下的漏电流即为重复峰值漏电流。然后将高压调节旋钮反时针调到零，再将正向／反向按钮置于反向（按下时），用同样的方法测出反向不重复峰值电压，反向重复峰值电压和反向重复峰值漏电流。在测试过程中若因漏电流过保护设定值则保护动作，保护指示灯亮，设备自动断开加在被测管Ａ、Ｋ端的高压，此时将高压调节旋钮反时针旋到底，仪器即自动复位。



使用注意事项：

1．三线电源插头的地端要接地，以确保测试人员的安。

2．测试峰值电压后，应养成习惯及时将高压调节旋钮调到零，禁止在加上高压时调节 保护设定及正反向，测试

过程中严禁用手触摸元件导电部分，以免电击。

3．测试不带散热器的管芯时，要加一定的压力，以免管芯内部接触不良产生测试误差，或因为内部打火损坏

被测元件。

4．测试元件耐压时应尽量不要测到保护动作，以确保元件不被击穿损坏。

0-6000V主要技术指标：

1．峰值电压测量范围：0—6000V
2．峰值漏电流测量范围：0—200mA
3．峰值漏电流保护设定范围：0—198mA
4．机内示波器可观看动态峰值电压与峰值漏电流的变化伏安特性曲线波形中西集团